| номер части | SIS626DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 25V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 16A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±12V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1925pF @ 15V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 52W (Tc) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 1212-8 |
| Упаковка / чехол | PowerPAK® 1212-8 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIS626DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 16A POWERPAK1212 | - | 7125 | подробности |
