Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Vishay Siliconix ~ SIR808DP-T1-GE3

номер части: SIR808DP-T1-GE3
производитель: Vishay Siliconix
Описание: MOSFET N-CH 25V 20A POWERPAK
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: SIR808DP-T1-GE3.pdf SIR808DP-T1-GE3 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

номер части	SIR808DP-T1-GE3
Статус детали	Obsolete
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	25V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	20A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	22.8nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	815pF @ 12.5V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	29.8W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	8.9 mOhm @ 17A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SO-8
Упаковка / чехол	PowerPAK® SO-8

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
SIR800ADP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V PPAK SO-8	-	83104	подробности
SIR800ADP-T1-RE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V POWERPAK SO8 SNG	-	256	подробности
SIR800DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8	-	0	подробности
SIR800DP-T1-RE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 50A POWERPAKSO-8	-	88664	подробности
SIR802DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8	-	9000	подробности
SIR804DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8	-	0	подробности
SIR808DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 25V 20A POWERPAK		0	подробности