номер части | SIB419DK-T1-GE3 |
---|---|
Статус детали | Obsolete |
Тип полевого транзистора | P-Channel |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) | 12V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 9A (Tc) |
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 1.8V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 11.82nC @ 5V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 562pF @ 6V |
Vgs (Макс.) | ±8V |
Функция FET | - |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.45W (Ta), 13.1W (Tc) |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 5.2A, 4.5V |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SC-75-6L Single |
Упаковка / чехол | PowerPAK® SC-75-6L |