SIA453EDJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6
SIA453EDJ-T1-GE3 P1
SIA453EDJ-T1-GE3 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Vishay Siliconix ~ SIA453EDJ-T1-GE3

номер части
SIA453EDJ-T1-GE3
производитель
Vishay Siliconix
Описание
MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- SIA453EDJ-T1-GE3 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части SIA453EDJ-T1-GE3
Статус детали Active
Тип полевого транзистора P-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 24A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 66nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 1900pF @ 15V
Vgs (Макс.) ±12V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 18.5 mOhm @ 5A, 10V
Рабочая Температура -50°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PowerPAK® SC-70-6 Single
Упаковка / чехол PowerPAK® SC-70-6

сопутствующие товары

Все продукты