SI8415DB-T1-E1

MOSFET P-CH 12V 5.3A 2X2 4-MFP
SI8415DB-T1-E1 P1
SI8415DB-T1-E1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Vishay Siliconix ~ SI8415DB-T1-E1

номер части
SI8415DB-T1-E1
производитель
Vishay Siliconix
Описание
MOSFET P-CH 12V 5.3A 2X2 4-MFP
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- SI8415DB-T1-E1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части SI8415DB-T1-E1
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора P-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 12V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 5.3A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 30nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds -
Vgs (Макс.) ±8V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1.47W (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 37 mOhm @ 1A, 4.5V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика 4-Microfoot
Упаковка / чехол 4-XFBGA, CSPBGA

сопутствующие товары

Все продукты