| номер части | SI6562CDQ-T1-GE3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N and P-Channel |
| Функция FET | Logic Level Gate |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 20V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 6.7A, 6.1A |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 5.7A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 850pF @ 10V |
| Мощность - макс. | 1.6W, 1.7W |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Пакет устройств поставщика | 8-TSSOP |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI6562CDQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP | - | 6000 | подробности |
 |
SI6562DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP | - | 0 | подробности |
 |
SI6562DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP | - | 0 | подробности |
