| номер части | SI5913DC-T1-E3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 20V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 4A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 2.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 330pF @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±12V |
| Функция FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.7W (Ta), 3.1W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 84 mOhm @ 3.7A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | 1206-8 ChipFET™ |
| Упаковка / чехол | 8-SMD, Flat Lead |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI5913DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8 | - | 0 | подробности |
 |
SI5913DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8 | - | 0 | подробности |
 |
SI5915BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 | - | 0 | подробности |
 |
SI5915BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 | - | 0 | подробности |
 |
SI5915DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8 | - | 0 | подробности |
 |
SI5915DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8 | - | 0 | подробности |
