| номер части | SI5457DC-T1-GE3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 20V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 6A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1000pF @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±12V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.3W (Ta), 5.7W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 4.9A, 4.5V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | 1206-8 ChipFET™ |
| Упаковка / чехол | 8-SMD, Flat Lead |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI5456DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET | - | 0 | подробности |
 |
SI5457DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 6A CHIPFET | - | 9000 | подробности |
 |
SI5458DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET | - | 0 | подробности |
 |
SI5459DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 8A CHIPFET | - | 3000 | подробности |
