SI4876DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC
SI4876DY-T1-GE3 P1
SI4876DY-T1-GE3 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Vishay Siliconix ~ SI4876DY-T1-GE3

номер части
SI4876DY-T1-GE3
производитель
Vishay Siliconix
Описание
MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- SI4876DY-T1-GE3 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части SI4876DY-T1-GE3
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 14A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 80nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds -
Vgs (Макс.) ±12V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1.6W (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 5 mOhm @ 21A, 4.5V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика 8-SO
Упаковка / чехол 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

сопутствующие товары

Все продукты