| номер части | SI4668DY-T1-E3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 25V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 16.2A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1654pF @ 15V |
| Vgs (Макс.) | ±16V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 5W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 10.5 mOhm @ 15A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | 8-SO |
| Упаковка / чехол | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4660DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC | - | 0 | подробности |
 |
SI4660DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC | - | 0 | подробности |
 |
SI4666DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC | - | 5000 | подробности |
 |
SI4668DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC | - | 0 | подробности |
 |
SI4668DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC | - | 0 | подробности |
