SI4562DY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
SI4562DY-T1-GE3 P1
SI4562DY-T1-GE3 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Vishay Siliconix ~ SI4562DY-T1-GE3

номер части
SI4562DY-T1-GE3
производитель
Vishay Siliconix
Описание
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- SI4562DY-T1-GE3 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части SI4562DY-T1-GE3
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N and P-Channel
Функция FET Logic Level Gate
Слив к источнику напряжения (Vdss) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C -
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 50nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds -
Мощность - макс. 2W
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройств поставщика 8-SO

сопутствующие товары

Все продукты