номер части | SI4430BDY-T1-GE3 |
---|---|
Статус детали | Active |
Тип полевого транзистора | N-Channel |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) | 30V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 14A (Ta) |
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 36nC @ 4.5V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | - |
Vgs (Макс.) | ±20V |
Функция FET | - |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.6W (Ta) |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 20A, 10V |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет устройств поставщика | 8-SO |
Упаковка / чехол | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |