| номер части | SI4102DY-T1-E3 |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 100V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 3.8A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 370pF @ 50V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.4W (Ta), 4.8W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 158 mOhm @ 2.7A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | 8-SO |
| Упаковка / чехол | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4100DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC | - | 0 | подробности |
 |
SI4100DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC | - | 0 | подробности |
 |
SI4101DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC | - | 0 | подробности |
 |
SI4102DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC | - | 0 | подробности |
 |
SI4102DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC | - | 2500 | подробности |
 |
SI4103DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 30V SO-8 | - | 198445 | подробности |
 |
SI4104DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC | - | 0 | подробности |
 |
SI4104DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC | - | 0 | подробности |
 |
SI4108DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC | - | 0 | подробности |
