SI3586DV-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP
SI3586DV-T1-E3 P1
SI3586DV-T1-E3 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Vishay Siliconix ~ SI3586DV-T1-E3

номер части
SI3586DV-T1-E3
производитель
Vishay Siliconix
Описание
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- SI3586DV-T1-E3 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части SI3586DV-T1-E3
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N and P-Channel
Функция FET Logic Level Gate
Слив к источнику напряжения (Vdss) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 2.9A, 2.1A
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 6nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds -
Мощность - макс. 830mW
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Пакет устройств поставщика 6-TSOP

сопутствующие товары

Все продукты