номер части | SI3407DV-T1-GE3 |
---|---|
Статус детали | Active |
Тип полевого транзистора | P-Channel |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) | 20V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 8A (Tc) |
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 2.5V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1670pF @ 10V |
Vgs (Макс.) | ±12V |
Функция FET | - |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 2W (Ta), 4.2W (Tc) |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 7.5A, 4.5V |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет устройств поставщика | 6-TSOP |
Упаковка / чехол | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |