SI2372DS-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 30V SOT23
SI2372DS-T1-GE3 P1
SI2372DS-T1-GE3 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Vishay Siliconix ~ SI2372DS-T1-GE3

номер части
SI2372DS-T1-GE3
производитель
Vishay Siliconix
Описание
MOSFET N-CHAN 30V SOT23
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- SI2372DS-T1-GE3 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части SI2372DS-T1-GE3
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4A (Ta), 5.3A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 8.9nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 288pF @ 15V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 3A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика SOT-23-3 (TO-236)
Упаковка / чехол TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

сопутствующие товары

Все продукты