номер части | SI2318CDS-T1-GE3 |
---|---|
Статус детали | Active |
Тип полевого транзистора | N-Channel |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) | 40V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 5.6A (Tc) |
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 9nC @ 10V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 340pF @ 20V |
Vgs (Макс.) | ±20V |
Функция FET | - |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 4.3A, 10V |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 (TO-236) |
Упаковка / чехол | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |