номер части | SI1926DL-T1-GE3 |
---|---|
Статус детали | Active |
Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) |
Функция FET | Logic Level Gate |
Слив к источнику напряжения (Vdss) | 60V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 370mA |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 340mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 1.4nC @ 10V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 18.5pF @ 30V |
Мощность - макс. | 510mW |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа | Surface Mount |
Упаковка / чехол | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Пакет устройств поставщика | SC-70-3 (SOT323) |