| номер части | SI1051X-T1-E3 |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 8V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | - |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 9.45nC @ 5V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 560pF @ 4V |
| Vgs (Макс.) | ±5V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 236mW (Ta) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 122 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | SC-89-6 |
| Упаковка / чехол | SOT-563, SOT-666 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1050X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F | - | 0 | подробности |
 |
SI1050X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6 | - | 12000 | подробности |
 |
SI1051X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6 | - | 0 | подробности |
 |
SI1051X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6 | - | 0 | подробности |
 |
SI1054X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6 | - | 0 | подробности |
 |
SI1054X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6 | - | 0 | подробности |
 |
SI1056X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F | - | 0 | подробности |
 |
SI1056X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V SC-89-6 | - | 0 | подробности |
 |
SI1058X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F | - | 0 | подробности |
 |
SI1058X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V SC89 | - | 0 | подробности |
