| номер части | GA200SA60U |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип IGBT | - |
| конфигурация | Single |
| Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) | 600V |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 200A |
| Мощность - макс. | 500W |
| Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 100A |
| Ток - отсечка коллектора (макс.) | 1mA |
| Входная емкость (Cies) @ Vce | 16.5nF @ 30V |
| вход | Standard |
| Термистор NTC | No |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка / чехол | SOT-227-4, miniBLOC |
| Пакет устройств поставщика | SOT-227B |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GA200-001PD | TE Connectivity Measurement Specialties | SENSOR TRANSDUCER 0.250-4.5V PCB | 0 | подробности | |
 |
GA200-005WD | TE Connectivity Measurement Specialties | SENSOR PRESS GAUGE 5" H2O 3SIP | 0 | подробности | |
 |
GA200-010WD | TE Connectivity Measurement Specialties | SENSOR PRESS DIFF 10" H2O 3SIP | 0 | подробности | |
 |
GA200-015WD | TE Connectivity Measurement Specialties | SENSOR PRESS GAUGE 15" H2O 3SIP | 0 | подробности | |
 |
GA200SA60S | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT STD 600V 100A SOT227 | 0 | подробности | |
 |
GA200SA60U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT UFAST 600V 100A SOT227 | 0 | подробности | |
 |
GA201AE3 | Microsemi Corporation | SCR | - | 1337 | подробности |
 |
GA20JT12-247 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1.2KV 20A | 0 | подробности | |
 |
GA20JT12-263 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 45A | 263 | подробности | |
 |
GA20SICP12-247 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 45A TO247 | 0 | подробности | |
 |
GA20SICP12-263 | GeneSiC Semiconductor | SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV | 90 | подробности |
