| номер части | BAL99-HE3-18 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 70V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 250mA |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.25V @ 150mA |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 6ns |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 2.5µA @ 70V |
| Емкость @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23 |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BAL99,215 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 70V 215MA SOT23 | 6000 | подробности | |
 |
BAL99-7 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23-3 | - | 0 | подробности |
 |
BAL99-7-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23-3 | - | 318000 | подробности |
 |
BAL99-E3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23 | - | 0 | подробности |
 |
BAL99-E3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23 | - | 0 | подробности |
 |
BAL99-G3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23 | - | 0 | подробности |
 |
BAL99-G3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23 | - | 0 | подробности |
 |
BAL99-HE3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23 | - | 0 | подробности |
 |
BAL99-HE3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23 | - | 0 | подробности |
 |
BAL99E6327HTSA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3 | - | 0 | подробности |
 |
BAL99E6433HTMA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3 | - | 0 | подробности |
 |
BAL99LT1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 70V 100MA SOT23-3 | - | 11781 | подробности |
