| номер части | B4S-E3/80 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Single Phase |
| Технологии | Standard |
| Напряжение - Реверс пика (макс.) | 400V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 500mA |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1V @ 500mA |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 5µA @ 400V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | TO-269AA, 4-BESOP |
| Пакет устройств поставщика | TO-269AA (MBS) |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
B4S-E3/80 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE BRIDGE 0.5A 400VMBS | - | 0 | подробности |
 |
B4S-G | Comchip Technology | RECT BRIDGE GPP 400V 0.8A MBS | 24000 | подробности | |
 |
B4S-HF | Comchip Technology | DIODE BRIDGE 400V 0.8A MBS | 0 | подробности |
