| номер части | TPN22006NH,LQ |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 60V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 9A (Ta) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 6.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 710pF @ 30V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 700mW (Ta), 18W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Упаковка / чехол | 8-PowerVDFN |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPN22006NH,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON | - | 0 | подробности |
