Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ TK9A60D(STA4,Q,M)

номер части: TK9A60D(STA4,Q,M)
производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Описание: MOSFET N-CH 600V 9A TO-220SIS
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: TK9A60D(STA4,Q,M).pdf TK9A60D(STA4,Q,M) PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

номер части	TK9A60D(STA4,Q,M)
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	600V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	9A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	24nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1200pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	45W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	830 mOhm @ 4.5A, 10V
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-220SIS
Упаковка / чехол	TO-220-3 Full Pack

Образ	номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
	TK9A60D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 9A TO-220SIS		0	подробности