| номер части | TK65G10N1,RQ |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 100V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 65A (Ta) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 81nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 5400pF @ 50V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 156W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 32.5A, 10V |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | D2PAK |
| Упаковка / чехол | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK65025MTL | Diodes Incorporated | IC REG BUCK ADJ 3.5A SYNC 12QFN | - | 34830 | подробности |
 |
TK650A60F,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- | - | 48426 | подробности |
 |
TK65A10N1,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 100V 65A TO-220 | - | 73 | подробности |
 |
TK65E10N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 100V 148A TO220 | - | 1033 | подробности |
 |
TK65G10N1,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK | - | 0 | подробности |
 |
TK65S04K3L(T6L1,NQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 65A DPAK-3 | - | 0 | подробности |
 |
TK65S04N1L,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 65A DPAK | - | 0 | подробности |
