Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ TK31E60X,S1X

номер части	TK31E60X,S1X
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	600V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	30.8A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1.5mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	65nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	3000pF @ 300V
Vgs (Макс.)	±30V
Функция FET	Super Junction
Рассеиваемая мощность (макс.)	230W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	88 mOhm @ 9.4A, 10V
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-220
Упаковка / чехол	TO-220-3

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
TK31A60W,S4VX	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS	-	0	подробности
TK31E60W,S1VX	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220	-	0	подробности
TK31E60X,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220	-	95	подробности
TK31J60W,S1VQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)	-	47	подробности
TK31J60W5,S1VQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)	-	0	подробности
TK31N60W,S1VF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 30.8A TO247	-	95	подробности
TK31N60W5,S1VF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247	-	240	подробности
TK31N60X,S1F	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247	-	294	подробности
TK31V60W,LVQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN	-	0	подробности
TK31V60W5,LVQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN	-	2500	подробности
TK31V60X,LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN	-	2500	подробности