номер части | TC58NYG1S3HBAI6 |
---|---|
Статус детали | Active |
Тип памяти | Non-Volatile |
Формат памяти | EEPROM |
Технологии | EEPROM - NAND |
Размер памяти | 2Gb (256M x 8) |
Частота часов | - |
Время цикла записи - слово, страница | 25ns |
Время доступа | 25ns |
Интерфейс памяти | Parallel |
Напряжение - Поставка | 1.7 V ~ 1.95 V |
Рабочая Температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
Тип монтажа | Surface Mount |
Упаковка / чехол | 67-VFBGA |
Пакет устройств поставщика | 67-VFBGA (6.5x8) |