SSM6J505NU,LF

MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B
SSM6J505NU,LF P1
SSM6J505NU,LF P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ SSM6J505NU,LF

номер части
SSM6J505NU,LF
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание
MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- SSM6J505NU,LF PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части SSM6J505NU,LF
Статус детали Active
Тип полевого транзистора P-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 12V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 12A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 1.2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 37.6nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 2700pF @ 10V
Vgs (Макс.) ±6V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1.25W (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 4A, 4.5V
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика 6-UDFNB (2x2)
Упаковка / чехол 6-WDFN Exposed Pad

сопутствующие товары

Все продукты