SSM3J356R,LF

MOSFET P-CH 60V 2A SOT23F
SSM3J356R,LF P1
SSM3J356R,LF P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ SSM3J356R,LF

номер части
SSM3J356R,LF
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание
MOSFET P-CH 60V 2A SOT23F
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
SSM3J356R,LF.pdf SSM3J356R,LF PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части SSM3J356R,LF
Статус детали Active
Тип полевого транзистора P-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 2A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 8.3nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 330pF @ 10V
Vgs (Макс.) +10V, -20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1W (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 1A, 10V
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика SOT-23F
Упаковка / чехол SOT-23-3 Flat Leads

сопутствующие товары

Все продукты