SSM3J307T(TE85L,F)

MOSFET P-CH 20V 5A TSM
SSM3J307T(TE85L,F) P1
SSM3J307T(TE85L,F) P2
SSM3J307T(TE85L,F) P3
SSM3J307T(TE85L,F) P1
SSM3J307T(TE85L,F) P2
SSM3J307T(TE85L,F) P3
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ SSM3J307T(TE85L,F)

номер части
SSM3J307T(TE85L,F)
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание
MOSFET P-CH 20V 5A TSM
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- SSM3J307T(TE85L,F) PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части SSM3J307T(TE85L,F)
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора P-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 5A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 19nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 1170pF @ 10V
Vgs (Макс.) ±8V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 700mW (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 31 mOhm @ 4A, 4.5V
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика TSM
Упаковка / чехол TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

сопутствующие товары

Все продукты