Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ 2SJ668(TE16L1,NQ)

номер части: 2SJ668(TE16L1,NQ)
производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Описание: MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: 2SJ668(TE16L1,NQ).pdf 2SJ668(TE16L1,NQ) PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

номер части	2SJ668(TE16L1,NQ)
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	P-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	5A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	15nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	700pF @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	20W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	170 mOhm @ 2.5A, 10V
Рабочая Температура	150°C
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PW-MOLD
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Образ	номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
	2SJ668(TE16L1,NQ)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD		0	подробности