STGW10M65DF2

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
STGW10M65DF2 P1
STGW10M65DF2 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

STMicroelectronics ~ STGW10M65DF2

номер части
STGW10M65DF2
производитель
STMicroelectronics
Описание
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
STGW10M65DF2.pdf STGW10M65DF2 PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Single
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части STGW10M65DF2
Статус детали Active
Тип IGBT Trench Field Stop
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 650V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 20A
Текущий - коллектор импульсный (Icm) 40A
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 10A
Мощность - макс. 115W
Энергия переключения 120µJ (on), 270µJ (off)
Тип ввода Standard
Ворота затвора 28nC
Td (вкл. / Выкл.) При 25 ° C 19ns/91ns
Условия тестирования 400V, 10A, 22 Ohm, 15V
Время обратного восстановления (trr) 96ns
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Упаковка / чехол TO-247-3
Пакет устройств поставщика TO-247

сопутствующие товары

Все продукты