STB12NM50T4

MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
STB12NM50T4 P1
STB12NM50T4 P2
STB12NM50T4 P1
STB12NM50T4 P2
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

STMicroelectronics ~ STB12NM50T4

номер части
STB12NM50T4
производитель
STMicroelectronics
Описание
MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- STB12NM50T4 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части STB12NM50T4
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 550V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 12A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 39nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 1000pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±30V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 160W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 6A, 10V
Рабочая Температура -65°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика D2PAK
Упаковка / чехол TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

сопутствующие товары

Все продукты