EMF24T2R

TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
EMF24T2R P1
EMF24T2R P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Rohm Semiconductor ~ EMF24T2R

номер части
EMF24T2R
производитель
Rohm Semiconductor
Описание
TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
EMF24T2R.pdf EMF24T2R PDF online browsing
семья
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части EMF24T2R
Статус детали Not For New Designs
Тип транзистора 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100mA, 150mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 50V
Резистор - основание (R1) (Ом) 10k
Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом) 10k
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) 500nA
Частота - переход 250MHz, 180MHz
Мощность - макс. 150mW
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол SOT-563, SOT-666
Пакет устройств поставщика EMT6

сопутствующие товары

Все продукты