DTD123TSTP

TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
DTD123TSTP P1
DTD123TSTP P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Rohm Semiconductor ~ DTD123TSTP

номер части
DTD123TSTP
производитель
Rohm Semiconductor
Описание
TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
DTD123TSTP.pdf DTD123TSTP PDF online browsing
семья
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части DTD123TSTP
Статус детали Obsolete
Тип транзистора NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 500mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 40V
Резистор - основание (R1) (Ом) 2.2k
Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом) -
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 100 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) 500nA (ICBO)
Частота - переход 200MHz
Мощность - макс. 300mW
Тип монтажа Through Hole
Упаковка / чехол SC-72 Formed Leads
Пакет устройств поставщика SPT

сопутствующие товары

Все продукты