FJ4B01100L1

CSP SINGLE P-CHANNEL MOSFET
FJ4B01100L1 P1
FJ4B01100L1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Panasonic Electronic Components ~ FJ4B01100L1

номер части
FJ4B01100L1
производитель
Panasonic Electronic Components
Описание
CSP SINGLE P-CHANNEL MOSFET
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- FJ4B01100L1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части FJ4B01100L1
Статус детали Active
Тип полевого транзистора P-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 12V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 2.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 74 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1.2mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 7nC @ 4.5V
Vgs (Макс.) ±8V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 459pF @ 10V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 360mW (Ta)
Рабочая Температура -40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика XLGA004-W-0808-RA01
Упаковка / чехол 4-XFLGA, CSP

сопутствующие товары

Все продукты