NXH160T120L2Q2F2SG

PIM 1200V 160A SPLIT TNP
NXH160T120L2Q2F2SG P1
NXH160T120L2Q2F2SG P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

ON Semiconductor ~ NXH160T120L2Q2F2SG

номер части
NXH160T120L2Q2F2SG
производитель
ON Semiconductor
Описание
PIM 1200V 160A SPLIT TNP
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- NXH160T120L2Q2F2SG PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части NXH160T120L2Q2F2SG
Статус детали Active
Тип IGBT -
конфигурация Three Level Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 181A
Мощность - макс. 500W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 160A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 500µA
Входная емкость (Cies) @ Vce 38.8nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC Yes
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика 56-PIM/Q2PACK (93x47)

сопутствующие товары

Все продукты