| номер части | NVD5862NT4G-VF01 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 60V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 18A (Ta), 98A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 82nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 6000pF @ 25V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 4.1W (Ta), 115W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 5.7 mOhm @ 48A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | DPAK-3 |
| Упаковка / чехол | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVD5862NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 90A DPAK-4 | - | 20250 | подробности |
 |
NVD5862NT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 90A DPAK-4 | - | 25000 | подробности |
 |
NVD5863NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK | - | 10750 | подробности |
 |
NVD5863NLT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK | - | 0 | подробности |
 |
NVD5865NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4 | - | 10451 | подробности |
 |
NVD5867NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V DPAK | - | 6333 | подробности |
|
NVD5867NLT4G-TB01 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 22A DPAK DPAK | - | 11248 | подробности |
