| номер части | NTMSD2P102LR2G |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 20V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 2.3A (Ta) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 750pF @ 16V |
| Vgs (Макс.) | ±10V |
| Функция FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 710mW (Ta) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOIC |
| Упаковка / чехол | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMSD2P102LR2 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | - | 0 | подробности |
 |
NTMSD2P102LR2G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | - | 0 | подробности |
 |
NTMSD2P102R2 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | - | 0 | подробности |
 |
NTMSD2P102R2SG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | - | 0 | подробности |
 |
NTMSD3P102R2 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC | - | 0 | подробности |
 |
NTMSD3P102R2G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC | - | 0 | подробности |
 |
NTMSD3P102R2SG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC | - | 0 | подробности |
 |
NTMSD3P303R2G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC | - | 0 | подробности |
 |
NTMSD6N303R2 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC | - | 0 | подробности |
 |
NTMSD6N303R2G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC | - | 0 | подробности |
 |
NTMSD6N303R2SG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC | - | 0 | подробности |
