номер части | NTD60N02R-1G |
---|---|
Статус детали | Obsolete |
Тип полевого транзистора | N-Channel |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) | 25V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 8.5A (Ta), 32A (Tc) |
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1330pF @ 20V |
Vgs (Макс.) | ±20V |
Функция FET | - |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.25W (Ta), 58W (Tc) |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 10.5 mOhm @ 20A, 10V |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип монтажа | Through Hole |
Пакет устройств поставщика | I-Pak |
Упаковка / чехол | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |