номер части | NTD18N06-1G |
---|---|
Статус детали | Obsolete |
Тип полевого транзистора | N-Channel |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) | 60V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 18A (Ta) |
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 710pF @ 25V |
Vgs (Макс.) | ±20V |
Функция FET | - |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.1W (Ta), 55W (Tj) |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 9A, 10V |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип монтажа | Through Hole |
Пакет устройств поставщика | I-Pak |
Упаковка / чехол | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |