NJVMJD128T4G

TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK-4
NJVMJD128T4G P1
NJVMJD128T4G P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

ON Semiconductor ~ NJVMJD128T4G

номер части
NJVMJD128T4G
производитель
ON Semiconductor
Описание
TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK-4
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- NJVMJD128T4G PDF online browsing
семья
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части NJVMJD128T4G
Статус детали Active
Тип транзистора PNP - Darlington
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 8A
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 120V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 4V @ 80mA, 8A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 5mA
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 1000 @ 4A, 4V
Мощность - макс. 1.75W
Частота - переход -
Рабочая Температура -65°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет устройств поставщика DPAK-3

сопутствующие товары

Все продукты