NDS9407_G

INTEGRATED CIRCUIT
NDS9407_G P1
NDS9407_G P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

ON Semiconductor ~ NDS9407_G

номер части
NDS9407_G
производитель
ON Semiconductor
Описание
INTEGRATED CIRCUIT
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- NDS9407_G PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части NDS9407_G
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора P-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 22nC @ 10V
Vgs (Макс.) ±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 732pF @ 30V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика 8-SOIC
Упаковка / чехол 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

сопутствующие товары

Все продукты