MJ11016G

TRANS NPN DARL 120V 30A TO3
MJ11016G P1
MJ11016G P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

ON Semiconductor ~ MJ11016G

номер части
MJ11016G
производитель
ON Semiconductor
Описание
TRANS NPN DARL 120V 30A TO3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- MJ11016G PDF online browsing
семья
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части MJ11016G
Статус детали Active
Тип транзистора NPN - Darlington
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 30A
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 120V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 4V @ 300mA, 30A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 1mA
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 1000 @ 20A, 5V
Мощность - макс. 200W
Частота - переход 4MHz
Рабочая Температура -55°C ~ 200°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Упаковка / чехол TO-204AA, TO-3
Пакет устройств поставщика TO-3

сопутствующие товары

Все продукты