MBT35200MT1G

TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
MBT35200MT1G P1
MBT35200MT1G P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

ON Semiconductor ~ MBT35200MT1G

номер части
MBT35200MT1G
производитель
ON Semiconductor
Описание
TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- MBT35200MT1G PDF online browsing
семья
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части MBT35200MT1G
Статус детали Active
Тип транзистора PNP
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 2A
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 35V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 310mV @ 20mA, 2A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 100nA
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 100 @ 1.5A, 1.5V
Мощность - макс. 625mW
Частота - переход 100MHz
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол SOT-23-6
Пакет устройств поставщика 6-TSOP

сопутствующие товары

Все продукты