номер части | FDI045N10A-F102 |
---|---|
Статус детали | Active |
Тип полевого транзистора | N-Channel |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) | 100V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 120A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 74nC @ 10V |
Vgs (Макс.) | ±20V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 5270pF @ 50V |
Функция FET | - |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 263W (Tc) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип монтажа | Through Hole |
Пакет устройств поставщика | I2PAK (TO-262) |
Упаковка / чехол | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |