| номер части | 2N5551RL1 |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип транзистора | NPN |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 600mA |
| Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) | 160V |
| Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Ток - отсечка коллектора (макс.) | 50nA (ICBO) |
| Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Мощность - макс. | 625mW |
| Частота - переход | 300MHz |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Пакет устройств поставщика | TO-92-3 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N5000 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 593 | подробности |
|
2N5001 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 593 | подробности |
|
2N5002 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 477 | подробности |
|
2N5003 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 477 | подробности |
|
2N5004 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 477 | подробности |
|
2N5005 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 477 | подробности |
|
2N5010 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 6990 | подробности |
|
2N5011 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 5951 | подробности |
|
2N5012 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 6639 | подробности |
|
2N5012S | Microsemi Corporation | TRANSISTOR NPN TO-39 | - | 21999 | подробности |
|
2N5013 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 6639 | подробности |
|
2N5013S | Microsemi Corporation | TRANSISTOR NPN TO-39 | - | 6364 | подробности |
