Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ MRFE6VP8600HSR5

номер части: MRFE6VP8600HSR5
производитель: NXP USA Inc.
Описание: FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: MRFE6VP8600HSR5.pdf MRFE6VP8600HSR5 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

номер части	MRFE6VP8600HSR5
Статус детали	Active
Тип транзистора	LDMOS (Dual)
частота	860MHz
Усиление	19.3dB
Напряжение - испытание	50V
Текущий рейтинг	-
Коэффициент шума	-
Текущий - Тест	1.4A
Выходная мощность	125W
Напряжение - Номинальное напряжение	130V
Упаковка / чехол	NI-1230S
Пакет устройств поставщика	NI-1230S

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
MRFE6P3300HR3	NXP USA Inc.	FET RF 66V 863MHZ NI-860C3	-	0	подробности
MRFE6P3300HR5	NXP USA Inc.	FET RF 66V 863MHZ NI-860C3	-	0	подробности
MRFE6P9220HR3	NXP USA Inc.	FET RF 66V 880MHZ NI-860C3	-	0	подробности
MRFE6S8046GNR1	NXP USA Inc.	FET RF 66V 894MHZ TO-270-4	-	0	подробности
MRFE6S8046NR1	NXP USA Inc.	FET RF 66V 894MHZ TO-270-4	-	0	подробности
MRFE6S9045GNR1	NXP USA Inc.	FET RF 66V 880MHZ TO-270-2	-	0	подробности
MRFE6S9045NR1	NXP USA Inc.	FET RF 66V 880MHZ TO-270-2	-	0	подробности
MRFE6S9046GNR1	NXP USA Inc.	FET RF 66V 960MHZ TO-270-4	-	0	подробности
MRFE6S9046NR1	NXP USA Inc.	FET RF 66V 960MHZ TO-270-4	-	0	подробности
MRFE6S9060NR1	NXP USA Inc.	FET RF 66V 880MHZ TO270-2	-	500	подробности
MRFE6S9125NBR1	NXP USA Inc.	FET RF 66V 880MHZ TO-272-4	-	0	подробности
MRFE6S9125NR1	NXP USA Inc.	FET RF 66V 880MHZ TO-270-4	-	0	подробности