Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ MRFE6VP61K25GSR5

номер части: MRFE6VP61K25GSR5
производитель: NXP USA Inc.
Описание: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230GS
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: MRFE6VP61K25GSR5.pdf MRFE6VP61K25GSR5 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

номер части	MRFE6VP61K25GSR5
Статус детали	Active
Тип транзистора	LDMOS
частота	230MHz
Усиление	24dB
Напряжение - испытание	50V
Текущий рейтинг	-
Коэффициент шума	-
Текущий - Тест	100mA
Выходная мощность	1250W
Напряжение - Номинальное напряжение	133V
Упаковка / чехол	NI-1230S-4 GW
Пакет устройств поставщика	NI-1230S-4 GullWing

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
MRFE6VP100HR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780		50	подробности
MRFE6VP100HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780		0	подробности
MRFE6VP5150GNR1	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270 GW		0	подробности
MRFE6VP5150NR1	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270		0	подробности
MRFE6VP5300GNR1	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270 GW		0	подробности
MRFE6VP5300NR1	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270		0	подробности
MRFE6VP5600HR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230		100	подробности
MRFE6VP5600HR6	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230	-	0	подробности
MRFE6VP5600HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S	-	0	подробности
MRFE6VP5600HSR6	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S	-	0	подробности
MRFE6VP61K25GNR6	NXP USA Inc.	TRANS RF LDMOS 1250W 50V		0	подробности
MRFE6VP61K25GSR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230GS		0	подробности