MRF8S26120HR3

FET RF 65V 2.69GHZ NI780
MRF8S26120HR3 P1
MRF8S26120HR3 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ MRF8S26120HR3

номер части
MRF8S26120HR3
производитель
NXP USA Inc.
Описание
FET RF 65V 2.69GHZ NI780
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
MRF8S26120HR3.pdf MRF8S26120HR3 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части MRF8S26120HR3
Статус детали Obsolete
Тип транзистора LDMOS
частота 2.69GHz
Усиление 15.6dB
Напряжение - испытание 28V
Текущий рейтинг -
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 900mA
Выходная мощность 28W
Напряжение - Номинальное напряжение 65V
Упаковка / чехол NI-780
Пакет устройств поставщика NI-780

сопутствующие товары

Все продукты